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为了能够进一步提高Sn的空位率以实现载流子浓度的进一步优化，局开该团队首次实现了Cd掺杂的SnSe微米级单晶片，局开如图6所示，使热电优值得到了进一步的提高。展完则体（b）制备工艺温度参数。

善东设调以及(e)与单晶样品在中低温条件下的热电优值对比。同时，北区该团队发现随着铜掺杂浓度的提升，硒化锡单晶的择优生长会发生变化，由板条状逐渐向带状过渡，进而降低了烧结块体材料的各向异性。域电市研（d）烧结块体切片的TEM照片。

铜的掺杂导致晶格收缩，力市并能够在晶格中引入纳米级应力区，造成局部晶格畸变。场规场建这种材料所展现出来的优异的热电性能得益于其较低的热导率（0.24Wm-1 K-1）。

系深图6 Cd掺杂的SnSe（a）计算得到的载流子浓度与功率因子及热导率的关系。

邹进教授在ISI9（WebofScience）刊物上已发表学术论文650多篇，化统其多数论文发表在国际知名刊物上并被引用18,000次。东北F,G)沿D图和E图中X-Y线的相应强度分布。

【成果简介】近日，局开中国科学技术大学谢毅院士、局开孙永福研究员(共同通讯作者)等设计了带正电荷的单原子金属电催化剂，大大降低了过电势，CO2电还原性能进而得到提升，并在Adv.Mater.上发表了题为EfficientandRobustCarbonDioxideElectroreductionEnabledbyAtomicallyDispersedSnδ+Sites的研究论文。F)使用IFEFFIT的ARTEMIS模块的k3加权EXAFS光谱的拟合曲线，展完则体内插为相应的原子模型。

善东设调B)SnK边EXAFS光谱的傅立叶变换(FT)。然而，北区对于上述金属结构，存在的丰富微观结构(包括界面，晶界和表面粗糙度)导致无法确定其活性位点是否为带正电荷的金属物质。